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双极化大角度吸透一体超表面及其设计方法、电子设备
발명알 수 없음
7조회수
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
黄栋; 任继方; 赵宇霖; 房亮; 沈忠祥
출원일
Sep 7, 2026
공개일
Oct 16, 2026
IPC 분류
H01Q 15/24 (2006.01)H01Q 15/00 (2006.01)H01Q 17/00 (2006.01)H01Q 1/42 (2006.01)
本发明公开了一种双极化大角度吸透一体超表面及其设计方法、电子设备,所述超表面包括低频吸波单元和高频透波单元,所述低频吸波单元包括第一阻抗匹配结构、第二阻抗匹配结构、第三阻抗匹配结构、方环吸波结构、第一介质板和第二介质板,所述第一介质板设置在第一阻抗匹配结构与第二阻抗匹配结构之间,所述第二介质板设置在方环吸波结构与第三阻抗匹配结构之间,所述第一介质板、第二介质板和高频透波单元从上到下依次设置。本发明可以实现宽角域条件下稳定的电磁吸收与透射性能,提高了吸透一体超表面的工程应用能力和环境适应能力。