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一种半导体器件及其制备方法、电子设备
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§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10B 12/00 (2023.01)
本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备。半导体器件包括:多个存储单元,分布于不同层、沿第一方向堆叠分布;所述存储单元包括晶体管,所述晶体管包括半导体层;所述半导体层沿第二方向构成第一环形,所述半导体层沿第三方向构成第二环形;所述第二方向和所述第三方向相交且均与所述第一方向垂直;字线,沿所述第三方向延伸,所述字线环绕所述半导体层的所述第二环形。