一种半导体器件及其制造方法、电子设备

一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：多个存储单元，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；位线，贯穿不同层的存储单元沿着垂直衬底方向延伸；多条字线，分布于不同层，字线和位线沿平行于衬底的第一方向分布，字线沿着平行于衬底的第二方向延伸；存储单元包括晶体管，晶体管包括沿第一方向延伸的半导体层，多个存储单元的多个半导体层与位线连接；字线环绕半导体层背离衬底一侧、朝向衬底一侧其中之一，以及，半导体层沿所述第二方向相对设置的两侧。本实施例提供的方案，字线分布在半导体层沿垂直于衬底方向相对设置的两侧其中之一，可以减少器件垂直方向尺寸，降低工艺难度。