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半导体存储器装置
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§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10B 12/00 (2023.01)H10D 88/00 (2026.01)
一种半导体存储器装置包括:衬底,其包括在第一水平方向上布置的堆叠区域和焊盘区域;第一字线和第二字线,第一字线和第二字线布置在相同的竖直水平处,在堆叠区域和焊盘区域中在第一水平方向上延伸,并且在与第一水平方向相交的第二水平方向上间隔开;多条位线,其在堆叠区域中在竖直方向上延伸并且在第一水平方向上间隔开;多个存储器单元,其位于堆叠区域中;字线焊盘,其在焊盘区域中位于第一字线与第二字线之间;以及字线接触件,其在字线焊盘上在竖直方向上延伸。