半导体结构、存储器及其操作方法

本公开提供一种半导体结构、存储器及其操作方法，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底表面上的第一栅极结构和第二栅极结构；所述第二栅极结构与所述第一栅极结构的厚度相同且小于预定厚度；位于所述衬底中的第一掺杂区和第二掺杂区，且所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别位于所述第一栅极结构的两侧；所述第一栅极结构与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区构成选择晶体管；所述第二栅极结构在所述衬底上的正投影与所述第二掺杂区至少部分重叠；所述第二栅极结构与所述第二掺杂区构成反熔丝位结构；所述反熔丝位结构的击穿状态和非击穿状态用于表示不同的存储数据。