半导体存储装置

实施方式提供容易高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：基板，具备在第1方向上排列的存储区域及接合区域；及多个存储构造，在与第1方向交叉的第2方向上排列。多个存储构造具备：多个导电层，在与基板的表面交叉的第3方向上排列，跨存储区域及接合区域地在第1方向上延伸；及多个接触电极，设置于接合区域，在第3方向上延伸，具备由多个导电层的一部分包围的外周面，分别连接于多个导电层中的任一者。接合区域具备在第1方向上排列的第1区域和第2区域。第1区域包括第1接触电极及第2接触电极，第2区域包括第3接触电极。第3接触电极的第3方向的长度比第1接触电极的第3方向的长度长且比第2接触电极的第3方向的长度短。