半导体装置和制造半导体装置的方法

本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：栅极结构，其包括交替地层叠的导电层和第一绝缘层；虚设层叠物，其在第一方向上与栅极结构相邻并且包括面向栅极结构的第一侧壁，第一侧壁沿着第一侧壁的长度在第二方向上延伸并且具有重复非平面形状，其中，第二方向与第一方向交叉；以及第二绝缘层，其位于栅极结构和虚设层叠物之间，其中，虚设层叠物位于半导体装置的至少一个组件的边界处。