NORD闪存器件制造方法

本发明提供一种NORD闪存器件制造方法，提供一半导体结构，其包括衬底、栅氧化层、第一沟槽、侧墙结构及由下到上层叠的浮栅层、栅间介质层、控制栅层与浮栅氮化硅层，其中，栅氧化层形成于所述衬底与所述浮栅层之间，第一沟槽形成于所述浮栅层的上方，栅间介质层、所述控制栅层及所述浮栅氮化硅层形成于第一沟槽的两侧，侧墙结构覆盖第一沟槽的侧壁；通过第一刻蚀工艺沿着第一沟槽刻蚀预设厚度的浮栅层以形成第二沟槽；于第二沟槽的底部及侧壁形成氧化层；通过第二刻蚀工艺沿着第二沟槽刻蚀剩余厚度的浮栅层以形成字线沟槽；于字线沟槽内填充字线多晶硅层以形成字线。该NORD闪存器件制造方法制得的NORD器件，隧穿效率高。