半导体器件及其制造方法、电子设备

本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成层叠且间隔的第一叠置结构和第二初始叠置结构；在第一沟道结构沿第一方向的两端分别形成第一源漏极、第二源漏极；形成连接在各第一源漏极外侧的第一接触结构和连接在各第二源漏极外侧的第二接触结构；横向刻蚀第二初始牺牲结构，得到第二牺牲结构；在第二沟道结构沿第一方向的两端分别形成第三源漏极、第四源漏极；形成连接在各第三源漏极外侧的第三接触结构和连接在各第四源漏极外侧的第四接触结构；在第一接触结构上形成第一金属结构，并在第二接触结构上形成第二金属结构。本申请实施例可有效提高半导体器件的性能。