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半导体器件
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§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10B 43/35 (2023.01)H10B 43/40 (2023.01)H10B 43/20 (2023.01)H10B 51/20 (2023.01)H10B 51/30 (2023.01)H10B 51/40 (2023.01)H10B 41/20 (2023.01)H10B 41/35 (2023.01)H10B 41/41 (2023.01)H10W 20/42 (2026.01)
一种半导体器件，包括：外围电路结构和单元结构，所述单元结构包括单元区域和连接区域；其中，所述单元结构包括：在垂直方向上交替堆叠的栅电极和模制绝缘层；位于所述单元区域中并且垂直延伸穿过所述栅电极的沟道结构；位于所述连接区域中并垂直延伸穿过所述栅电极的虚设插塞；位于所述连接区域并且接触所选电极并且穿过在与所述所选电极处于不同的垂直高度上的未选电极的单元插塞；以及位于每个单元插塞的侧表面上的绝缘间隔物。