半导体器件的制造方法及半导体器件

本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件。制造方法包括：在具有深阱的衬底中形成存储管阱和选择管阱；在各自阱区上分别形成栅极并制作侧墙；在侧墙形成后进行轻掺杂漏和重掺杂区注入。其中轻掺杂漏注入包含第一角度及更大的第二角度注入。本发明将轻掺杂漏移至侧墙后注入，实现存储单元与逻辑区器件性能的独立调节；利用大小角度叠加注入，克服了由于存储管与选择管间距狭小对大角度注入造成的物理遮挡，使器件外侧轻掺杂漏能够有效延伸至栅极下方，优化了电学性能与可靠性。