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기록
电容器及其制备方法、集成电路、电子设备
발명알 수 없음
15청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10D 1/68 (2025.01)H10W 20/40 (2026.01)H10W 20/41 (2026.01)
本申请实施例提供一种电容器及其制备方法、集成电路、电子设备,涉及半导体技术领域,用于减小电容器的接触电阻。电容器包括层叠设置多层金属层和多层介质层。多层金属层包括第一金属层、第二金属层以及第三金属层。多层介质层包括位于第一金属层和第二金属层之间的第一介质层以及位于第二金属层和第三金属层之间的第二介质层。电容器还包括导通柱,导通柱包括贯穿第一金属层和第三金属层的第一导通柱以及贯穿第二金属层的第二导通柱。其中,至少一个金属层具有凸部,且导通柱至少部分侧面与凸部邻接。