一种抗总剂量辐照的氧化镓肖特基二极管及其制备方法

本发明公开了一种抗总剂量辐照的氧化镓肖特基二极管及其制备方法，包括衬底、外延层、背面欧姆接触和正面肖特基接触，在肖特基接触制备前对外延层表面进行四氟化碳（CF）等离子体处理，在近表面区域引入镓空位受主型缺陷，形成负空间电荷区；该负电荷区可提升肖特基势垒高度、抑制反向漏电流，并在总剂量辐照过程中抑制辐照产生的空穴向界面迁移，减少施主型界面态的生成。经γ射线辐照验证，本发明的器件在总剂量辐照后势垒高度几乎不变，而未处理器件势垒显著下降。本发明有效提升了氧化镓肖特基二极管的抗总剂量辐照能力和电应力可靠性，适用于航天等高辐照环境。