半导体结构

本申请实施例提供一种半导体结构。该半导体结构包括：衬底，衬底上设置有第一功能区，以及环绕第一功能区的隔离区，第一功能区具有第一掺杂元素；第一金属电极，设置在第一功能区上；第二金属电极，设置在隔离区，并与第一金属电极电性连接。本申请实施例中的半导体结构可以增加肖特基二极管的反向击穿电压。