一种改善小尺寸RC-IGBT二极管正向导通特性的器件结构及工艺制造方法

本发明涉及RC‑I GBT二极管技术领域，公开了一种改善小尺寸RC‑I GBT二极管正向导通特性的器件结构，分为I GBT区域和FWD区域，包括位于RC‑I GBT器件正面的MOS栅极结构与n型漂移层、位于RC‑I GBT器件背面的n型磁场止层、p+型集电极区与n+型阴极区、以及集电极，所述I GBT区域和FWD区域均与MOS栅极结构欧姆接触；通过在接触孔一内填充由钛层、氮化钛层、钨层组成的接触塞，在接触孔二内填充发射极电极的设计，确保I GBT区域的欧姆接触性能，消除因钛与硅接触导致的直接退化问题，显著提高FWD区域的正向电压特性；在FWD区域的接触孔二位置，通过刻蚀去除接触塞材料，令发射极电极直接与FWD的半导体接触，残留的少量接触塞对FWD正向导通特性影响不大，可忽略，切断了导致退化的接触路径。