一种具有EGGE结构的IGBT结构及工艺制造方法

本发明涉及IGBT技术领域，公开了一种具有EGGE结构的IGBT结构，包括沟槽栅极IGBT，所述沟槽栅极IGBT包括半导体衬底、安装在半导体衬底上漂移区内的两个FLP层、设置在两个FLP层之间的两个发射极沟槽与两个栅极沟槽，两个所述栅极沟槽位于两个发射极沟槽之间；本发明通过在两个发射极沟槽之间至少设置两个栅极沟槽，增加栅极占用率，提升输入电容Cies，实现降低噪声影响的问题，并提升ESD(静电放电)耐受性；通过沟道层一和沟道层二的浮空设置，进一步增加少数载流子效果，进而降低集电极‑发射极电压Vce(sat)。