一种半导体结构及其制造方法

本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：依次层叠设置的衬底、沟道层以及势垒层；P型层，位于势垒层远离衬底一侧的栅极区域；帽层，位于P型层远离衬底一侧；其中，帽层远离衬底一侧的表面包括多个凹坑。本公开在帽层设置的凹坑可使帽层与栅极接触界面的晶面转变，有效提高肖特基势垒高度，降低栅极泄漏电流，提高器件质量和可靠性。