一种加速电荷收集的抗单粒子氮化镓器件及其制备方法

本发明公开了一种加速电荷收集的抗单粒子氮化镓器件，自下而上依次包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和钝化层，其中，钝化层的左右两侧分别设置有源极和漏极，源极和漏极从钝化层的上表面向下延伸至势垒层的下表面，源极的下表面与沟道层的上表面接触；沟道层的上表面靠近漏极的一侧嵌入有横向pn结埋层，横向pn结埋层的上表面与漏极的下表面接触；源极和漏极之间的钝化层的内部嵌入有p‑GaN帽层，p‑GaN帽层的下表面与势垒层接触，p‑GaN帽层的两侧通过钝化层与源极和漏极间隔；p‑GaN帽层的上表面设置有栅极。本发明引入的横向pn结埋层能够为载流子输运提供加速通路，调制漏极附近的电场强度、降低碰撞电离率、避免热失控导致器件发生单粒子烧毁。