一种高散热增强型GaN基HEMT外延晶圆、器件及其制备方法

本发明属于半导体器件技术领域，公开一种高散热增强型GaN基HEMT外延晶圆、器件及其制备方法。外延晶圆包括依次层叠设置的金刚石衬底、含氮石墨烯插入层、AlN复合成核层、AlN位错过滤层、应力释放层、半绝缘GaN过渡层、GaN沟道层、AlN插入层、第一AlGaN势垒层及p型栅极外延层。p型栅极外延层包括第二AlGaN过渡层、In等电子掺杂GaN层、Mg重掺杂p‑GaN层和Mg轻掺杂p‑GaN层。器件由该外延晶圆经台面隔离、p型栅极图形化、栅极介质沉积、电极形成和钝化处理制得。本发明利于改善金刚石基GaN外延的成核及应力状态，提高器件散热能力，增强p型栅极对栅下二维电子气的耗尽作用。