沟槽栅半导体器件及其制造方法

本发明公开了一种沟槽栅半导体器件，包括：形成于第一导电类型掺杂的第一外延层中的第一沟槽，在第一沟槽中填充有第二导电类型掺杂的第二外延层。在第二外延层中形成有第二沟槽。在第二沟槽的内侧表面形成有栅氧化层，在第一沟槽的底部表面上的第二外延层被部分氧化且由保留第二外延层作为第二沟槽底部的保护层。在第二沟槽中填充有栅极导电材料层。本发明还公开了一种沟槽栅半导体器件的制造方法。本发明不需采用离子注入就能在沟槽栅底部形成和漂移区掺杂类型相反的保护层，能实现降低沟槽栅底部区域的电场的同时还能避免离子注入形成保护层时所带来的晶格缺陷。