一种碳化硅MOSFET

本发明涉及碳化硅MOSFET技术领域，公开了一种碳化硅MOSFET，在使用时，本发明的第一N+源区与第一P体区形成了环绕一周的环形沟道，器件同时拥有环栅沟槽侧壁的纵向沟道和沟槽底部的环形横向沟道，通过增加沟道密度，可以极大地提升器件导通电流密度，降低器件导通电阻；其次在三维方向的Z轴上选择性地将N型外延层顶部的第二P体区、第二N+源区和沟槽底部的第一P体区、第一N+源区短接，简化器件制备工艺复杂度，降低生产成本。该器件结构可以在有效提升器件静、动态性能的前提下，同时改善器件栅氧质量、热稳定性、雪崩能力、短路能力等可靠性问题，为碳化硅沟槽MOSFET器件的国产化和商业化应用提供了可行的技术路径。