半导体装置

本发明是一种半导体装置，包括：第一导电膜；第一绝缘膜；氧化物半导体膜；第二导电膜；第三导电膜；第二绝缘膜；第四导电膜；以及第五导电膜，其中氧化物半导体膜包括第一半导体膜和第二半导体膜，氧化物半导体膜包含第二半导体膜与第二导电膜接触的第一区域，在第一区域中第二半导体膜的厚度大于第一半导体膜的厚度，第四导电膜包含与第二导电膜接触的区域，并且在截面图中，第四导电膜不与第三导电膜重叠。