JFET器件

本发明公开了一种JFET器件，栅极引出结构形成区中形成有和单元沟槽相连通的栅引出沟槽。在栅引出沟槽的底部形成有第二导电类型掺杂的栅极连接区，各单元沟槽底部的栅极区都和栅极连接区接触连接在一起且栅极区的表面形成有金属硅化物。在栅极引出结构形成区中的栅接触孔底部形成有和栅接触孔相接触的阻挡层；阻挡层和栅极连接区之间形成第一PN结。栅接触孔的顶部连接到栅极。器件关断时，栅极电压使第一PN结正偏并使栅极电压通过栅极连接区传输到栅极区。器件导通时，栅极电压使第一PN结反偏，以阻止栅极区的电荷泄放到栅极以及阻止栅极电压的波动传输到栅极区。