III族氮化物外延层及其制造方法，以及半导体器件

本申请提供一种III族氮化物外延层及其制造方法，以及半导体器件。III族氮化物外延层包括：衬底层、成核层、以及III族氮化物过渡区。过渡区包括第一过渡层、M个第一过渡单元、以及N个第二过渡单元，M0，N0，M+N2。第一过渡单元包括第二过渡层和第三过渡层，第二过渡单元包括第四过渡层和第五过渡层。第二过渡层、第三过渡层、第四过渡层和第五过渡层包括第一III族元素和第二III族元素。第二过渡层和第三过渡层的第二III族元素的含量之差以及第四过渡层和第五过渡层的第二III族元素的含量之差均大于等于35%，小于等于45%。通过在III族氮化物过渡区设置第一过渡单元和第二过渡单元，降低了位错密度，减少外延层的整体厚度。