검색으로 돌아가기
기록
包括掩埋图案的半导体装置
발명알 수 없음
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10D 84/80 (2025.01)H10D 84/01 (2026.01)H10D 62/10 (2025.01)H10W 20/42 (2026.01)H10W 20/41 (2026.01)H10W 20/40 (2026.01)H10W 20/45 (2026.01)H10W 20/00 (2026.01)
提供包括掩埋图案的半导体装置。半导体装置包括：基底，包括第一区域的绝缘图案和第二区域的第一半导体图案；分离图案，在绝缘图案与第一半导体图案之间将它们分离；第一有源图案，在绝缘图案上表面上；第一栅极结构，与第一有源图案交叉；第一源极/漏极区域，在第一栅极结构侧壁上连接到第一有源图案；第二有源图案，在第一半导体图案上表面上；第二栅极结构，与第二有源图案交叉；掩埋图案，在第一半导体图案下表面上；背侧布线结构，在绝缘图案和掩埋图案的下表面上；背源极/漏极接触件，穿透绝缘图案并连接第一源极/漏极区域和背侧布线结构。掩埋图案包括沿第一半导体图案的下表面和分离图案的侧壁的轮廓延伸的衬膜和衬膜上的掩埋绝缘膜。
로그인하고 전문 읽기
청구항 1을 표시했습니다. 무료 가입하면 전체 20개 청구항, 명세서 전문, 전체 도면, 번역, 법적 상태를 볼 수 있습니다.
- 전체 청구항
- 기술 분야
- 배경 기술
- 발명의 내용
- 도면 설명
- 발명의 실시 형태