半导体器件及半导体器件的制造方法

本发明提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法，包括：衬底，所述衬底内形成有阱区；栅氧层，形成于所述阱区上，覆盖部分所述阱区；栅极结构，形成于所述栅氧层上，覆盖所述栅氧层；源漏区，形成于所述栅氧层两侧的所述阱区内；保护二极管，形成于所述阱区一侧的所述衬底内，包括阈值电压调整区，所述阈值电压调整区与所述栅极结构电性连接。本发明提供的技术方案将保护二极管的高浓度源漏注入区替换为低浓度的阈值电压调整区，通过降低掺杂浓度增加耗尽区宽度以提高保护二极管的结击穿电压，从而避免在栅氧反型测试中保护二极管先于栅氧层被击穿导致测试失效。