垂直堆叠异质结光电突触器件及其制备方法

本发明提供了一种垂直堆叠异质结光电突触器件，所述垂直堆叠异质结光电突触器件包括依次层叠设置的三维半导体衬底、电荷捕获层、二维光吸收层、电极和封装保护层，所述二维光吸收层采用CuCdZnSnSe制得，Cd/(Zn+Cd)=0.2~0.8。本发明采用垂直堆叠异质结结构，通过调控CuCdZnSnSe组分拓宽光谱响应范围，依托界面内建电场实现零偏压低功耗工作；搭配电荷捕获层强化电荷存储能力。