CMOS图像传感器高深宽比图形的定义方法及半导体结构

本发明提供一种CMOS图像传感器高深宽比图形的定义方法及半导体结构。该方法包括：在衬底上依次形成碳基底层、抗反射层和光刻胶层；定义光刻胶图形并依次转移至抗反射层和碳基底层；利用碳基底层图形及剩余抗反射层作为阻挡层进行离子注入；最后移除碳基底层及剩余抗反射层。本公开通过三层膜结构，利用较薄光刻胶实现高分辨率成像，并利用具备高硬度的碳基底层替代光刻胶作为高能离子注入的阻挡层。该方法有效解决了传统光刻胶在高深宽比条件下分辨率不足及因毛细管力导致倒塌的问题，实现了高深宽比的图形定义，适用于制造高性能CIS器件中的深层光电二极管。