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一种图像传感器沟槽隔离结构及其形成方法
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§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10F 39/18 (2025.01)H10F 39/00 (2025.01)
本发明公开了一种图像传感器沟槽隔离结构及其形成方法,所述的图像传感器包括感光像素区与遮黑像素区,在感光像素区边缘和/或遮黑像素区形成具有第二深度的深沟槽隔离结构,在感光像素区形成具有第一深度的深沟槽隔离结构,且第二深度大于第一深度。可通过单光罩同步刻蚀,无需额外增加光罩或工艺步骤,兼容现有工艺,或双光罩分步刻蚀制备。本发明能有效阻挡杂散光泄漏和寄生光干扰对遮黑像素的影响,保证遮黑像素的黑电平信号准确,改善画质,兼顾成本与性能,适配多种成像场景。