一种光电继电器及其制备方法

本发明公开了一种光电继电器及其制备方法，属于光电继电器技术领域。本发明提出的光电继电器，包括IR侧结构、PVG侧结构、MOS侧结构和封装结构，还包括缓冲端导线架；缓冲端导线架包括PVG功能区和MOS功能区，通过第一键合线（金线）连接PVG芯片和PVG功能区，第二键合线（铝线或铜线）连接MOS芯片和MOS功能区，以替代将PVG芯片和MOS芯片直接焊线连接，从而有效阻隔MOS侧热量向PVG侧传导并提升了散热能力；所有导线架采用加厚的铜合金材料，厚度范围为0.127‑0.5mm，有效提升了光电继电器的电流负荷能力。本发明提供的光电继电器通过增设缓冲端导线架、导线架加厚处理以及采用差异化键合线等方式，解决了现有光电继电器因热量传导导致大电流情况下可靠性不足的问题，使得光电继电器适用于电动汽车、工业逆变器等高功率大电流场景。