一种MSM型全GaN紫外偏振探测器及其制备方法

本发明属于半导体器件制造技术领域，具体涉及一种MSM型全GaN紫外偏振探测器及其制备方法。所述MSM型全GaN紫外偏振探测器自下而上依次包括：衬底层、AlN缓冲层、GaN层和金属电极层；所述GaN层包括GaN有源层及设于GaN有源层表面的纳米光栅结构；所述金属电极层由呈对称叉指形状排列的叉指电极组成；所述纳米光栅结构位于相邻叉指电极之间。本发明在传统MSM型GaN紫外探测器的叉指电极之间刻蚀GaN，形成周期性亚波长GaN纳米光栅结构，在器件表面引入几何各向异性，使器件对不同偏振方向的紫外光产生显著的吸收与响应差异，在365nm处偏振比为1.2，可精准识别紫外光的偏振方向与偏振度。