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氮化镓材料以及氮化镓材料的制造方法
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§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10H 20/825 (2025.01)H10H 20/01 (2025.01)H10P 14/24 (2026.01)H10P 14/20 (2026.01)C30B 29/40 (2006.01)C30B 25/00 (2006.01)
本发明实现高性能的GaN器件。本发明的氮化镓材料至少具有氮化镓层，在室温下进行了光致发光测定时，氮化镓层所引起的近带边发光的发光波长+5nm的波长处的发光强度I相对于所述近带边发光的发光强度I之比（I/I）为1.0以上。