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기록
发光二极管及其制造方法
발명알 수 없음
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10H 20/831 (2025.01)H10H 20/01 (2025.01)H10H 20/857 (2025.01)H10W 42/60 (2026.01)
本发明提供一种发光二极管及其制造方法,发光二极管包含一导电衬底、一透明导电层及一外延复合层。其中,透明导电层具有多个导电栓,设置于导电衬底上。外延复合层具有一发光层、一第一导电型原位掺杂(In‑situ Doped)外延底层,设置于透明导电层上。其中,第一导电型原位掺杂外延底层具有一第二导电型局部扩散区,设置于第一导电型原位掺杂外延底层中且与所述导电栓接触,使流经发光层的电流实质地直接经第二导电型局部扩散区流入所述导电栓。