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一种基于埋底界面修饰策略的铅锡混合钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用
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§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10K 71/12 (2023.01)H10K 30/40 (2023.01)H10K 30/88 (2023.01)H10K 77/10 (2023.01)H10K 30/86 (2023.01)H10K 30/85 (2023.01)H10K 30/81 (2023.01)H10K 85/50 (2023.01)
本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域,本发明涉及一种基于埋底界面修饰策略的铅锡混合钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用,该太阳能电池包括导电基底、空穴传输层、埋底界面修饰层、铅锡混合钙钛矿吸光层、电子传输层和电极的叠层结构;埋底界面修饰层的制备原料包括2,5‑二氨基苯磺酸和3,4‑二氨基苯磺酸其中任意一种。本发明通过埋底界面原位修饰策略,同步解决了钙钛矿埋底界面能级失配、结晶成膜质量差、界面缺陷态密度高、电荷复合严重等技术瓶颈。显著提升钙钛矿薄膜的光电转换性能、环境稳定性与工作稳定性,同时制备工艺简单可控、成本低廉、普适性强,具有良好的商业化前景。