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一种TEC自修复焊接结构及方法
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§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10N 10/817 (2023.01)H10N 10/01 (2023.01)H10N 10/17 (2023.01)B23K 1/00 (2006.01)B23K 3/00 (2006.01)
本发明公开了一种TEC自修复焊接结构及方法,旨在解决TEC长期工作面临高速率和频繁的温度循环及高热流密度工况下容易引发焊料开裂,难以自修复的不足。该发明包括基板和热电半导体粒子,热电半导体粒子端面上设置阻挡层,基板表面上设置铜电极,铜电极和阻挡层通过焊料焊接,铜电极和焊料之间设置多个微胶囊,微胶囊内填充金属修复剂。TEC在热应力疲劳下焊料层开裂和柯肯德尔空洞能够通过微胶囊进行自愈,提升TEC长期工作稳定性。