一种高均匀性12英寸二氧化硅薄膜及其工艺方法

本发明公开了一种高均匀性12英寸二氧化硅薄膜及其工艺方法，属于半导体集成电路制造技术领域。所述工艺方法包括：提供12英寸硅晶圆衬底；将晶圆置入工艺腔室一，利用电容耦合等离子体对晶圆表面进行预清洁；通过真空传送系统将晶圆传送至工艺腔室二，采用原位水汽生成工艺并结合阶梯式温控在晶圆表面生长二氧化硅薄膜；利用工艺腔室一内集成的宽带光源和CCD探测器构成的原位薄膜光学偏振分析系统，对预清洁效果及薄膜厚度、均匀度进行原位检测；当检测结果不符合要求时，利用电容耦合等离子体对薄膜进行自限性循环回刻修饰，并重复检测与回刻步骤直至薄膜均匀度达标。本发明制得的12英寸二氧化硅薄膜厚度为10‑12 nm，均匀度小于0.3%。本发明工艺全程在产线设备内完成，晶圆不接触大气环境，避免了颗粒污染，并将薄膜质量检测和均匀度调控集成于同一工艺设备内完成，免去离线检测的冗余成本，显著提高了12英寸二氧化硅薄膜的均匀性和产品良率稳定性，适用于大规模集成电路制造。