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기록
形成半导体结构的方法、半导体结构和半导体处理系统
발명알 수 없음
1조회수
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§ Ⅰ
개요
발명자
J·黄; 千承珠; 金河林; Y·辛; 金熙哲; 寓性柱
출원일
Apr 3, 2026
공개일
Oct 16, 2026
IPC 분류
H10P 50/20 (2026.01)H10P 72/00 (2026.01)H10P 50/28 (2026.01)H10P 14/60 (2026.01)H10P 14/69 (2026.01)H10W 10/00 (2026.01)H10W 10/17 (2026.01)
提供了一种形成半导体结构的方法,包括:在处理室中,在凹部的侧壁上沉积材料。该方法包括将蚀刻气体提供到处理室中。该方法包括将稀释气体提供到处理室中。该方法包括将等离子体提供到处理室中。