一种等离子体处理方法及装置

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种等离子体处理方法及装置。本方法包括：向反应腔体的上游等离子体激发区通入惰性气体，经射频放电激发生成亚稳态惰性气体粒子；向反应腔体的下游无电场区域通入含氢反应气体，使上游扩散而来的亚稳态惰性气体粒子与含氢反应气体发生潘宁电离，生成高活性氢基粒子；利用高活性氢基粒子对置于反应腔体中的晶圆进行去胶或表面清洗处理，去除晶圆表面的光刻胶或刻蚀后残留聚合物。本发明通过将含氢反应气体引入亚稳态惰性气体下游区域进行潘宁电离，在保持高化学活性的同时大幅降低粒子动能，实现对低介电常数介质的无损处理，满足先进节点集成电路制造对低损伤、高选择性的严苛要求。