半导体结构的制备方法及半导体结构

本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，属于半导体制造技术领域，制备方法包括P型基区退火工艺，P型基区退火工艺中采用硅舟支撑晶圆，硅舟与晶圆的支撑点到晶圆圆心的距离小于或等于晶圆半径的85%。该半导体结构的制备方法中P型基区退火工艺过程中采用硅舟支撑晶圆，硅舟具有与晶圆相同的物理性质，因此可以避免因热膨胀系数和热导系数不同而造成的晶格错位，硅舟与所述晶圆的支撑点到所述晶圆圆心的距离小于或等于所述晶圆半径的85%，硅舟与晶圆的支撑点靠近晶圆的中心，在高温制程中重力应力对整个晶圆的影响小，能够改善P型基区退火工艺中由于高温影响出现的接触孔套刻精度偏大的情况，提高产品良率。