互连结构及其形成方法

本发明提供互连结构及其形成方法，通过在相邻第一互连结构及第二互连结构之间形成有至少一个气隙，气隙贯穿第一覆盖层并向上延伸至第二介质层内，以及向下延伸至第一介质层内。在金属原子扩散路径上加上至少一个气隙，金属原子绕过气隙在第一介质层或第二介质层内扩散，起到延长金属原子扩散路径的作用，相当于增加了相邻第一互连结构及第二互连结构之间的间隔，达到提升金属间介质层经时击穿的目的。并且因为金属间介质层经时击穿有提升，意味着第一互连结构及第二互连结构的密度可以提升，进而芯片集成度可以得到提升，同时因为引入了气隙，气隙的介电常数小于第一介质层的介电常数和第二介质层的介电常数，容抗得到降低，信号延迟降低。