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一种半导体结构及其制造方法、电子设备

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§ Ⅰ

개요

발명자

王暾; 王祥升; 王桂磊; 赵超

출원일

Apr 8, 2025

공개일

Oct 16, 2026

IPC 분류

H10W 20/43 (2026.01)H10W 20/00 (2026.01)H10B 12/00 (2023.01)

一种半导体结构及其制造方法、电子设备,半导体结构包括:设置在衬底上垂直堆叠的分布于多层的多条信号线和设置在多条信号线同侧的多个连接电极;信号线沿平行于衬底方向延伸;连接电极包括沿平行于衬底方向延伸的水平导电部和与水平导电部连接的沿垂直于衬底方向延伸的竖直导电部,水平导电部设置在竖直导电部朝向信号线一侧;多个连接电极的多个水平导电部分布于不同层,且水平导电部连接同层的一条信号线;连接电极的水平导电部与所连接的信号线连接形成一体式结构,同一连接电极的竖直导电部与水平导电部非一体式结构。本公开实施例提供的方案,水平导电部设置在竖直导电部的一侧,可以减少水平导电部的尺寸,减少半导体结构的尺寸。