双层源极通孔结构、碳化硅MOSFET器件及芯片

本发明公开了一种双层源极通孔结构、碳化硅MOSFET器件及芯片，碳化硅MOSFET器件或芯片中的双层源极通孔结构包括用于形成源极区域的半导体基底层以及设置在半导体基底层上的一层或多层第一层间介质层，还包括贯穿第一层间介质层并延伸至源极区域的源极通孔，包裹在第一层间介质层的一层或多层第二层间介质层，其中，第二层间介质层为含氮介质层，以及填充源极通孔的填孔金属。通过第一层间介质层包括第二层间介质层，避免第二层间介质层与填孔金属接触导致被消耗，从而避免ILD层的绝缘完整性被破坏，避免相应的器件栅‑源短路而失效的问题，提高后续器件、芯片的可靠性。