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一种基于CBF膜的金刚石基板生产方法及封装基板

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§ Ⅰ

개요

발명자

岳长来; 何福权

출원일

Sep 14, 2026

공개일

Oct 16, 2026

IPC 분류

H10W 70/05 (2026.01)H10W 70/685 (2026.01)H10W 70/69 (2026.01)H10W 40/25 (2026.01)H10W 40/00 (2026.01)

本发明公开了一种基于CBF膜的金刚石基板生产方法及封装基板,方法包括:在第一基板覆盖上金刚石薄膜后得到第二基板;将CBF膜的第一表面贴在第二基板的金刚石薄膜上后得到第三基板;对第三基板进行镭射钻孔后得到第四基板;对第四基板的铜种子层进行电镀铜处理后得到线路铜层;对线路铜层进行逐级线路蚀刻处理后得到导电线路;对第四基板进行后处理得到金刚石基板。通过将金刚石薄膜覆在基板上,从而增加基板的硬度,能够满足封装基板的高硬度需求;通过CBF膜不仅能完成线路制作,还能提高线路间的绝缘性,线路产生的热量通过金刚石薄膜进行散出,封装基板的散热性能好,进而增加封装基板的可靠性和稳定性。