一种基于双面凸点的电子集成电路及其制备方法

本发明公开了一种基于双面凸点的电子集成电路及其制备方法，涉及半导体封装技术领域，包括：重布线层，重布线层上设有TMV铜柱，TMV铜柱底部与重布线层电连接；芯片组，芯片组包括电芯片、光芯片，电芯片的正面和反面均设有凸点，电芯片嵌埋在TMV铜柱中，电芯片正面的凸点与重布线层电连接，电芯片、TMV铜柱经过塑封后形成塑封结构，光芯片外置于塑封结构的顶面并位于电芯片的上方，光芯片通过混合键合工艺与电芯片反面的凸点电连接。本发明提高了信号传输质量，节约了空间，缩短了互连距离，提升了信号交换速度。