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封装结构及其形成方法

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27청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

杨进; 夏士伟; 张小平

출원일

Jul 28, 2026

공개일

Oct 16, 2026

IPC 분류

H10W 80/00 (2026.01)H10W 90/20 (2026.01)H10W 90/00 (2026.01)H10W 70/652 (2026.01)H10P 74/00 (2026.01)H10P 74/20 (2026.01)

本申请公开了一种封装结构及其形成方法,形成方法包括:提供第一芯片结构,包括第一重布线层,第一重布线层包括第一介质层和位于第一介质层中的第一测试布线;提供第二芯片结构,包括第二重布线层,第二重布线层包括键合区和环绕键合区的边缘区,第二重布线层包括第二测试布线,第二测试布线从键合区延伸至边缘区;将第一芯片结构和第二芯片结构键合,第一重布线层与第二重布线层的键合区键合,第一测试布线与键合区的第二测试布线键合电连接;在第二重布线层的边缘区上形成金属柱,若干金属柱的底面与边缘区中的第二测试布线电连接,金属柱、第二测试布线和第一测试布线构成测试回路。及时检测键合后的电性参数,提高良率。