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半导体设备、电子装置和用于制造半导体设备的方法
발명알 수 없음
10조회수
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§ Ⅰ
개요
발명자
神田泰夫; 植木诚; 梅林拓; 关千晶; 渡边幸太郎; 国岛浩之
출원일
Mar 18, 2025
공개일
Oct 16, 2026
IPC 분류
H10B 61/00 (2006.01)H10N 50/10 (2006.01)
根据本公开的实施例的半导体设备包括:多个布线层,每个布线层包括布线;多个接触件,分别设置在多个布线之间;以及电阻变化型或电容变化型的元件,设置在多个布线中的任意布线之间。多个接触件包括下部接触件,该下部接触件位于元件下方并且被配置成连接元件与第一下层布线,第一下层布线是位于元件下方的层中的布线。下部接触件和元件的总厚度大于位于第一下层布线下方的层中的第一下层接触件的厚度,第一下层接触件是连接到第一下层布线的接触件。