一种激光诱导缺陷改性UiO-66-NH混合基质膜及其制备方法和应用

本发明涉及一种激光诱导缺陷改性UiO‑66‑NH混合基质膜及其制备方法和应用，属于气体分离膜技术领域。采用溶剂热法制备UiO‑66‑NH纳米颗粒；进行激光扫描处理，通过激光诱导其局部配位环境发生调控，获得激光改性UN‑RL60；加入PEI水溶液中制得铸膜液；涂覆于PDMS和PVA改性的聚砜支撑膜表面，干燥得到混合基质膜。本发明通过激光诱导缺陷工程调控UiO‑66‑NH的局部配位环境，形成未配位的锆活性位点，在保持其主体晶体结构和颗粒形貌的同时增强对CO和CH的吸附作用，改善填料与聚合物之间的界面相容性，减少非选择性界面缺陷，提高膜对CO/N和CH/N混合气体的分离性能。