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一种电子束增材制造抑制元素挥发与偏析的全流程方法

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§ Ⅰ

개요

발명자

陈沛; 房立家; 张峰; 张强; 夏蒙蒙; 周凯; 刘欢; 刘明明

출원일

Jul 20, 2026

공개일

Oct 20, 2026

IPC 분류

B22F 10/28 (2021.01)B22F 10/366 (2021.01)B22F 10/64 (2021.01)B33Y 10/00 (2015.01)B33Y 40/10 (2020.01)B33Y 40/20 (2020.01)

本发明涉及增材制造技术领域,具体是一种电子束增材制造抑制元素挥发与偏析的全流程方法,所述方法包括:通过梯度工艺标定试验建立挥发损耗数据库并确定铝元素补偿比例,制备铝含量预补偿的专用增材粉末;根据构件平均壁厚和粉末铝含量计算自适应预热温度及保温时间,完成基板与粉末床预热;采用逐层角度迭代变换扫描或螺旋式扩径扫描路径进行逐层成型,控制扫描速度、单层熔深、熔池高温停留时间及层间冷却间隔;对成型后构件进行热等静压致密化与均质化复合后处理;本发明能够有效抑制电子束增材制造过程中易挥发元素的损耗,消除构件成分偏析,提升构件致密度和力学性能均匀性。