晶圆减薄系统及方法、电子设备、存储介质

本申请实施例公开了一种晶圆减薄系统及方法、电子设备、存储介质，晶圆减薄方法包括：针对一批次待减薄晶圆中的第n片晶圆，根据磨削系数控制磨削模块对第n片晶圆进行磨削，并根据压力响应系数控制抛光模块对磨削后的晶圆进行一次抛光，得到减薄后晶圆，其中，压力响应系数用于表征每个抛光区域的期望施加压力和期望去除速率形貌之间的关系；根据第n片晶圆中每相邻的两个抛光区域对应于抛光的去除速率形貌，更新每个抛光区域的压力响应系数，n为正整数；基于更新后的压力响应系数继续对第n+1片晶圆进行磨削以及抛光，直至一批次待减薄晶圆减薄完成。本申请的方案能够有效改善减薄过程中的抛光精度不够高的问题。