监测EPI CMP机械应力的方法

本发明公开了一种监测EPI CMP机械应力的方法，包括以下步骤：提供具有深沟槽结构的N型衬底晶圆；在所述深沟槽内填充设定掺杂浓度的P型外延层；对填充P型外延层后的晶圆进行EPI CMP平坦化处理；对EPI CMP处理后的晶圆进行高温热处理；在高温热处理后的晶圆表面生长牺牲氧化层，并去除所述牺牲氧化层；对处理后的晶圆进行缺陷扫描，实现EPI CMP机械应力导致的晶圆晶格损伤监测。本发明利用高温热处理使EPI CMP机械应力产生的微小晶格损伤劣化放大，再通过牺牲氧化层生长与去除工艺，将劣化后的缺陷进一步扩大为可稳定检出的晶体原生凹坑缺陷，最终通过常规缺陷扫描实现精准监测。